销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：4pF@10V

功率：100mW

栅源击穿电压：30V

栅源截止电压：180mV@1µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：1.2mA@10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：27000，"17+"：150000，"18+"：179500}

销售单位：个

漏源导通电阻：200Ω

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：4pF@10V

功率：100mW

栅源截止电压：180mV@1µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：600µA@10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：20999，"17+"：9195}

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：4.1pF@5V

功率：100mW

栅源截止电压：500mV@1µA

工作温度：150℃

包装方式：袋

漏源饱和电流：100µA@5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：45，"14+"：4552703，"16+"：928833，"17+"：265802}

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：4.1pF@5V

功率：100mW

栅源截止电压：500mV@1µA

工作温度：150℃

包装方式：袋

漏源饱和电流：210µA@5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：416000}

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：3.1pF@2V

功率：100mW

栅源截止电压：100mV@1µA

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：140µA@2V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：1000000}

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：3.5pF@2V

功率：100mW

栅源截止电压：200mV@1µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：140µA@2V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：435833，"13+"：72000}

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：3.5pF@5V

功率：100mW

栅源截止电压：200mV@1µA

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：140µA@5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：704000}

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：5pF@2V

功率：100mW

栅源截止电压：100mV@1µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：140µA@2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：86772}

销售单位：个

漏源导通电阻：200Ω

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：4pF@10V

功率：100mW

栅源截止电压：180mV@1µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：1.2mA@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：851，"18+"：27774}

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：1.7pF@10V

功率：100mW

栅源击穿电压：40V

栅源截止电压：2.3V@1µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：50µA@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：13pF@10V

功率：100mW

栅源击穿电压：50V

栅源截止电压：1.5V@100nA

工作温度：125℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：2.6mA@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：13pF@10V

功率：100mW

栅源击穿电压：50V

栅源截止电压：1.5V@100nA

工作温度：125℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：2.6mA@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：4pF@10V

功率：100mW

栅源击穿电压：30V

栅源截止电压：180mV@1µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：1.2mA@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

类型：N通道

ECCN：EAR99

输入电容：4pF@10V

功率：100mW

栅源击穿电压：30V

栅源截止电压：180mV@1µA

工作温度：150℃

包装方式：卷带（TR）

漏源饱和电流：1.2mA@10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：100mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：12000}

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：100mW

晶体管类型：2个PNP-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：200MHz

功率：100mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1