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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.2pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37FS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV3CA01ZPT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.5pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：3.8Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@3V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@3V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15AFS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C002UNT2CL
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV3C002UNT2CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：150mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C001ZPT2L
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：3.8Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C001ZPT2L
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：3.8Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV1C001ZPT2L
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：3.8Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K15ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13.5pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K16CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.3pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RV2C002UNT2L
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
