品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1000}
包装规格(MPQ):156psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2.1nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:8.4nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
阈值电压:3V@250μA
输入电容:465pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A€6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:260pF@15V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V
栅极电荷:4.3nC@10V
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E065GNTCL1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:260pF@15V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
导通电阻:22.5mΩ@6.5A,10V
栅极电荷:4.3nC@10V
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1000}
包装规格(MPQ):156psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2.1nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1000}
包装规格(MPQ):156psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2.1nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1000}
包装规格(MPQ):156psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2.1nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1000}
包装规格(MPQ):156psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2.1nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1000}
包装规格(MPQ):156psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2.1nF@10V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: