品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:14pF@15V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:500mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:125Ω
类型:P通道
ECCN:EAR99
输入电容:11pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:3V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:7mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:5pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2.5V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:24mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84KW-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
漏源导通电阻:250Ω
类型:P通道
ECCN:EAR99
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:1V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:2mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:14pF@15V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:500mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:5pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2.5V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:24mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:14pF@15V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:3V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:30mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:5pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2.5V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:24mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:30Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:14pF@15V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:4V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:50mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:125Ω
类型:P通道
ECCN:EAR99
输入电容:11pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:3V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:7mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:125Ω
类型:P通道
ECCN:EAR99
输入电容:11pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:3V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:7mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:3pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:600mV@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:30µA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:300Ω
类型:P通道
ECCN:EAR99
输入电容:11pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:800mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:1.5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:3pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:40V
栅源截止电压:600mV@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:30µA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SBSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:125Ω
类型:P通道
ECCN:EAR99
输入电容:11pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:3V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:7mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84KW-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@100mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:125Ω
类型:P通道
ECCN:EAR99
输入电容:11pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:3V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:7mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:14pF@15V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:500mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:14pF@15V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:500mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:100Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:14pF@15V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:500mV@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:5mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT6427LT1G
集射极击穿电压(Vceo):40V
集电极电流(Ic):500mA
功率:225mW
集电集截止电流(Icbo):1µA
工作温度:55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@500µA,500mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):20000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:125Ω
类型:P通道
ECCN:EAR99
输入电容:11pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:3V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:7mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:5pF@10V
功率:225mW
栅源击穿电压:25V
栅源截止电压:2.5V@1nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:24mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF4416A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4pF@15V
类型:1个N沟道
反向传输电容:0.8pF@15V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
漏源导通电阻:30Ω
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:14pF@15V
功率:225mW
栅源击穿电压:30V
栅源截止电压:4V@10nA
工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:50mA@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: