采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@2.8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：750}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R1K2P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：750}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@2.8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@2.8A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：999}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3408}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1003DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R1K2P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：26925}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPS02N60C3BKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.9V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：26925}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPS02N60C3BKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.9V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R1K2P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：975}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPS02N60C3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.9V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：26925}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPS02N60C3BKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：3.9V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU110PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R210PFD7SXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.5V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1015pF@400V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU110PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1493，"18+"：2970，"21+"：1117，"23+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPU02N60S5BKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：5.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM900N06CH X0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU110PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：999}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：999}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0703DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@35A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
