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品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：12000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：12000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"14+"：63000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@50mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：12000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：12000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：12000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：69067}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1958-T1-A
功率：150mW
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：10pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：9pF@5V
功率：150mW
栅源击穿电压：22V
栅源截止电压：0V@10µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：12mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"21+"：24000}
销售单位：个
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
栅源截止电压：0V@10µA
输入电容：9pF@5V
类型：N通道
功率：150mW
漏源饱和电流：12mA@5V
栅源击穿电压：22V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
生产批次：{"21+"：12000}
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
栅源截止电压：0V@10µA
输入电容：9pF@5V
类型：N通道
功率：150mW
漏源饱和电流：12mA@5V
栅源击穿电压：22V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：69067}
规格型号(MPN)：2SK1958-T1-A
功率：150mW
输入电容：10pF@3V
漏源电压：16V
类型：1个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
连续漏极电流：100mA
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：180000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：95@50mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：69067}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK1958-T1-A
功率：150mW
阈值电压：1.1V@10μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：10pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：12Ω@10mA，4V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"16+"：11455}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：135@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"14+"：63000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@50mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"16+"：11455}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：135@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
