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    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0PFD7SATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0PFD7SATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87331Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V€1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:518pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R2K0P7SATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R2K0P7SATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R2K0P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@400V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3DT

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD86336Q3DT 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86336Q3DT 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":500}

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86336Q3DT

    工作温度:-55℃~125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA€1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:494pF@12.5V€970pF@12.5V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87331Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V€1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:518pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3D

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3DT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3DT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87334Q3DT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:6mΩ@12A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R2K0P7SATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R2K0P7SATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R2K0P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@400V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R4K5P7ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R4K5P7ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R4K5P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:80pF@500V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@400mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R2K0P7SATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R2K0P7SATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R2K0P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@400V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87588NT 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87588NT 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87588NT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:736pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:9.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4431EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4431EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4431EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1265pF@15V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0PFD7SATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0PFD7SATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0PFD7SATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0PFD7SATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K0PFD7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3DT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3DT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87334Q3DT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:6mΩ@12A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3D

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4101DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4101DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4101DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8190pF@15V

    连续漏极电流:25.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3D 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订25个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订25个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87331Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V€1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:518pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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