品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":78000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTR01P02LT1G
功率:400mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@5V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V€150@500mA,5V
集电极电流(Ic):700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V€60V
功率:400mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISS55EP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18pF@30V
连续漏极电流:180mA
类型:P沟道
导通电阻:5.5Ω@180mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISS55EP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:2V@11µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18pF@30V
连续漏极电流:180mA
类型:P沟道
导通电阻:5.5Ω@180mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):220@500mA,2V€30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA€1A
集射极击穿电压(Vceo):50V€20V
功率:400mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":6007}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4402UPEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ
工作温度:150℃
功率:400mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4502PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@15V
连续漏极电流:1.13A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.95A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000BU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2E014AJT2CL
功率:400mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2E014AJT2CL
功率:400mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@15V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@1.4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005DLP4K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:900mV@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000TA
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):220@500mA,2V€30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA€1A
集射极击穿电压(Vceo):50V€20V
功率:400mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:400mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"16+":2508,"18+":135000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V€150@500mA,5V
集电极电流(Ic):700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V€60V
功率:400mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":45000,"21+":30000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):150@500mA,5V€60@5mA,5V
集电极电流(Ic):700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V€60V
功率:400mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3731U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:400mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:52pF@16V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":8,"22+":34970}
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000BU
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231N0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.5pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@10mA,4,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:400mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: