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    ECCN: EAR99
    功率: 400mW
    漏源电压: 20V
    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFA-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFA-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2990UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:510mA

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFA-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFA-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2990UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:510mA

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD280UN,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD280UN,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD280UN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@20V

    连续漏极电流:870mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:340mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDJ-7A 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDJ-7A 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UDJ-7A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:520mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD280UN,115 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD280UN,115 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD280UN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@20V

    连续漏极电流:870mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:340mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:500nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@16V

    连续漏极电流:0.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:500nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@16V

    连续漏极电流:0.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP22D4UFA-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP22D4UFA-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP22D4UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:28.7pF@15V

    连续漏极电流:330mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UDJ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:520mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:500nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@16V

    连续漏极电流:0.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDJ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDJ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UDJ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:520mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:100
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