首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    ECCN
    功率
    54W
    漏源电压
    30V
    工作温度
    行业应用
    ECCN: EAR99
    功率: 54W
    漏源电压: 30V
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:8
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03EPQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03EPQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03EPQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03EPQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03EPQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03EPQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03EPQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:54W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03EPQ56 RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03EPQ56 RLG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:8mΩ@16A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:55A

    输入电容:750pF@25V

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:54W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧