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    ECCN: EAR99
    功率: 700mW
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:200+
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

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    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:5
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

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    ECCN:EAR99

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    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订100个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订100个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订1000个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订1000个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

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    漏源电压:20V

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    库存:

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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订1000个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订1000个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订100个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订100个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订500个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订500个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:700mW

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订25个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订25个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订500个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订500个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订9000个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订9000个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

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    功率:700mW

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    ECCN:EAR99

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    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订25个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订25个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02HZGTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02HZGTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030P02HZGTL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    阈值电压:2V@34µA

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    输入电容:840pF@10V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030N05HZGTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030N05HZGTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    输入电容:510pF@10V

    连续漏极电流:3A

    漏源电压:45V

    导通电阻:67mΩ@3A,4.5V

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR040N03HZGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR040N03HZGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR040N03HZGTL

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N-Channel

    ECCN:EAR99

    导通电阻:48mΩ@4A,4.5V

    功率:700mW

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040RPTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040RPTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E040RPTL

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    导通电阻:45mΩ@4A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:1000pF@10V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    栅极电荷:10.5nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025N03HZGTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025N03HZGTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    输入电容:220pF@10V

    阈值电压:1.5V@1mA

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订10个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订10个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:4.8A

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    输入电容:1040pF@12V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:12V

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025N05HZGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025N05HZGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR025N05HZGTL

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:100mΩ@2.5A,10V

    工作温度:150℃

    输入电容:260pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    漏源电压:45V

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    栅极电荷:3.6nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02HZGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030P02HZGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030P02HZGTL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    导通电阻:75mΩ@3A,4.5V

    阈值电压:2V@34µA

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    输入电容:840pF@10V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025N03HZGTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025N03HZGTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    输入电容:220pF@10V

    阈值电压:1.5V@1mA

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L020SNTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L020SNTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L020SNTL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    漏源电压:60V

    输入电容:180pF@10V

    栅极电荷:2.7nC@5V

    阈值电压:2.5V@1mA

    导通电阻:170mΩ@2A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A060ZPTR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A060ZPTR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:23mΩ@6A,4.5V

    工作温度:150℃

    输入电容:2800pF@6V

    栅极电荷:34nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040TNTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E040TNTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E040TNTL

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@4A,4.5V

    输入电容:475pF@10V

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订1000个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订1000个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    阈值电压:1.25V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3A

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    输入电容:220pF@10V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    栅极电荷:4.9nC@4.5V

    连续漏极电流:2A

    阈值电压:2V@1mA

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:430pF@10V

    功率:700mW

    导通电阻:135mΩ@2A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L020SNTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L020SNTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L020SNTL

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    漏源电压:60V

    输入电容:180pF@10V

    栅极电荷:2.7nC@5V

    阈值电压:2.5V@1mA

    导通电阻:170mΩ@2A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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