品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2302
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.81nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2302
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.81nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2302
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.81nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2302
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.81nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2302
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.81nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2302
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.81nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2302
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.81nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2302
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.81nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2302
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.81nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:4.8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
阈值电压:2V@34µA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:9.3nC@4.5V
输入电容:840pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
输入电容:510pF@10V
连续漏极电流:3A
漏源电压:45V
导通电阻:67mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
功率:700mW
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR040N03HZGTL
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
输入电容:475pF@10V
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
功率:700mW
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E040RPTL
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:45mΩ@4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:1000pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
栅极电荷:10.5nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
输入电容:220pF@10V
阈值电压:1.5V@1mA
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:4.8A
导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V
输入电容:1040pF@12V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
栅极电荷:12.7nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025N05HZGTL
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:100mΩ@2.5A,10V
工作温度:150℃
输入电容:260pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:45V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
功率:700mW
栅极电荷:3.6nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR030P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
阈值电压:2V@34µA
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
漏源电压:20V
栅极电荷:9.3nC@4.5V
输入电容:840pF@10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:4.6nC@4.5V
输入电容:220pF@10V
阈值电压:1.5V@1mA
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L020SNTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
输入电容:180pF@10V
栅极电荷:2.7nC@5V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:170mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23mΩ@6A,4.5V
工作温度:150℃
输入电容:2800pF@6V
栅极电荷:34nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E040TNTL
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
输入电容:475pF@10V
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
功率:700mW
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS2302
阈值电压:1.25V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
输入电容:220pF@10V
漏源电压:20V
栅极电荷:3.81nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:4.9nC@4.5V
连续漏极电流:2A
阈值电压:2V@1mA
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:430pF@10V
功率:700mW
导通电阻:135mΩ@2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L020SNTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
输入电容:180pF@10V
栅极电荷:2.7nC@5V
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:170mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: