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    ECCN: EAR99
    功率: 700mW
    类型: N沟道
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订100个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订100个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订1000个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订1000个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订500个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订500个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订9000个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订9000个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订25个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订25个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订1000个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302 起订1000个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    阈值电压:1.25V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3A

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    输入电容:220pF@10V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2302

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2302

    阈值电压:1.25V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3A

    导通电阻:55mΩ@3A,4.5V

    输入电容:220pF@10V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:3.81nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025N03HZGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025N03HZGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025N03HZGTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025N03HZGTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR025N03HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316DS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2316DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4114NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025N03HZGTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR025N03HZGTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030N05HZGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR030N05HZGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR030N05HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
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