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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56140}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1329pF@16V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订1521个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTCG 起订1521个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":354,"22+":14000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441BT1G 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441BT1G 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":750,"09+":18000,"10+":30000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441BT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A060ZPTR 起订9000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1A060ZPTR 起订9000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1A060ZPTR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:77mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTAG 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTAG 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3662,"09+":15000,"10+":55476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025P03HZGTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR025P03HZGTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR025P03HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:98mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4149PTBG 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS4149PTBG 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":307000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTBG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":30000,"22+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020P05HZGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020P05HZGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR020P05HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@2A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130L-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:77mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3413L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:857pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UFY4-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UFY4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.7nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1291pF@10V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A18PZTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2106ASTZ 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:100pF@18V

    连续漏极电流:280mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP0545A 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP0545A 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP0545A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:120pF@25V

    连续漏极电流:45mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150Ω@50mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020P05HZGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020P05HZGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR020P05HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@2A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":25707}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTR020P02HZGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTR020P02HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRR030P03HZGTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRR030P03HZGTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRR030P03HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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