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    ECCN: EAR99
    功率: 83W
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    阈值电压: 2.5V@250µA
    当前匹配商品:200+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

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    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
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    品牌:Taiwan Semiconductor

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG
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    品牌:Taiwan Semiconductor

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    栅极电荷:28nC@10V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    功率:83W

    连续漏极电流:-52A

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

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    输入电容:4586pF@30V

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    库存:

    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    栅极电荷:108nC@10V

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    连续漏极电流:-52A

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    导通电阻:18mΩ@-3.5A,-10V

    漏源电压:-60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG

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    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1680pF@20V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:44A

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM160N10LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM160N10LCR RLG

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    导通电阻:16mΩ@8A,10V

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    阈值电压:2.5V@250µA

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    栅极电荷:73nC@10V

    连续漏极电流:46A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    导通电阻:29mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2286pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2
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