采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：1680pF@20V
漏源电压：60V
连续漏极电流：44A
导通电阻：23mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9679}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9679}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
导通电阻：2.9mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
导通电阻：2.9mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2610，"24+"：3681}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
导通电阻：2.9mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9679}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
