品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流:15A€9.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.3mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":12,"08+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF6S9130HR5
功率:27W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA95R1K2P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:478pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.7A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":45500,"13+":33100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF03N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:92mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流:15A€9.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:92mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.3mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":250,"23+":132650,"24+":48500,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R750E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:373pF@100V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:14.7A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":250,"23+":132650,"24+":48500,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R750E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:373pF@100V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":250,"23+":132650,"24+":48500,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R750E6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:373pF@100V
连续漏极电流:5.7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB02ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB02ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流:15A€9.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.3mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB68EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:92mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ570EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流:15A€9.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.3mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ963EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: