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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：180000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2210T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：29mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000，"17+"：11367}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2211T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：180000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2210T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：29mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：180000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2210T1M-T1-AT
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@4.5V
输入电容：1.35nF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：29mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
连续漏极电流：8A
阈值电压：2.5V@1mA
功率：1.1W
输入电容：2.06nF@20V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：48pF@30V
导通电阻：72mΩ@10V，2.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：48pF@30V
导通电阻：72mΩ@10V，2.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：48pF@30V
导通电阻：72mΩ@10V，2.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
