品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":700,"9999":259}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R0-55B,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.776nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":700,"9999":259}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R0-55B,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.776nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:西门子(SIEMENS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"98+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ111SLE3045A
功率:300W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:西门子(SIEMENS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ111SLE3045A
功率:300W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":700,"9999":259}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R0-55B,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.776nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":700,"9999":259}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK754R0-55B,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.776nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH50N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300W
阈值电压:4V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.4nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@25A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2233
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
连续漏极电流:185A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
栅极电荷:69nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: