品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2306CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJS6809_S1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:115mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7509TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:2.7A€2A
类型:N和P沟道
导通电阻:110mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415AE_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:907pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2323CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7503TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K21TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3409-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSF1341
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@8V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K21TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3405-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:417pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:73mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@6V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:390mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL05N06A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1018pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJS6601-AU_S1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V€416pF@10V
连续漏极电流:4.1A€3.1A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2031,"23+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:237pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCT04N10B-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1143pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFML8244TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.35V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5.8A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: