品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2nF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:16A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1338796}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6636R-TL-W
工作温度:150℃
功率:900mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7430LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1281pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8858CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:8.6A€7.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@8.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1FRATR
工作温度:150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9926A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4119NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@24V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9926A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1FRATR
工作温度:150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":7357,"11+":95000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK1562DJE-00#Z0
功率:900mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6898AZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1821pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6898AZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1821pF@10V
连续漏极电流:9.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":7357,"11+":95000}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK1562DJE-00#Z0
功率:900mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4Ω@500mA,4V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9945
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":141000,"09+":44907}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGD4169FT1G
工作温度:-25℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: