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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@100V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50CF 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50CF 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF13N50CF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU120NPBF 起订1056个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU120NPBF 起订1056个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":358,"22+":12876,"23+":6227,"24+":14425}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU120NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MTP3055VL 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTP3055VL 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTP3055VL

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1869pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ500AEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ500AEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ500AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:27mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G50N03K 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G50N03K 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G50N03K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:48W

    阈值电压:1.45V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订1114个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订1114个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19894,"23+":2598795,"24+":365085,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR618DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR618DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@100V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR120NTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR120NTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR120NTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU120NPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU120NPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":358,"22+":12876,"23+":6227,"24+":14425}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU120NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB60EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120NTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120NTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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