采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO5404E
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：45000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：230MHz
功率：280mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2V7002WT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS4409NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002W
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN25D0UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.9pF@10V
连续漏极电流：240mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMGD290UCEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：725mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1302DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D2LDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：39pF@3V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）共源
导通电阻：1.2Ω@100mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
