采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：989，"10+"：5159，"11+"：35000，"12+"：25000，"13+"：2490，"14+"：1996，"15+"：82606，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5765，"08+"：3110，"11+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTD4401FR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：16159}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3404L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5765，"08+"：3110，"11+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTD4401FR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：16159}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：4006}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTD4401FR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：7610，"07+"：4000，"08+"：4000，"10+"：4000，"9999"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTS2P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@16V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
