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    连续漏极电流
    4A
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    ECCN: EAR99
    功率: 1.6W
    连续漏极电流: 4A
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:20+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订2012个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订2012个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO211PHXUMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO211PHXUMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":24850,"17+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO211PHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1095pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:67mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SI3443DV 起订2116个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SI3443DV 起订2116个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443DV

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC658P 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC658P 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3999,"13+":1133}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:750pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO211PHXUMA1 起订1087个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO211PHXUMA1 起订1087个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":24850,"17+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO211PHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1095pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:67mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SI3443DV 起订2116个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SI3443DV 起订2116个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"15+":9000}

    规格型号(MPN):SI3443DV

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    输入电容:640pF@10V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订2012个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订2012个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}

    规格型号(MPN):FDC642P

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:925pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    功率:1.6W

    栅极电荷:16nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO211PHXUMA1 起订1087个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO211PHXUMA1 起订1087个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"14+":24850,"17+":7500}

    规格型号(MPN):BSO211PHXUMA1

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    输入电容:1095pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.2V@25µA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:67mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC642P 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC642P

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:925pF@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:65mΩ@4A,4.5V

    功率:1.6W

    栅极电荷:16nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.1nC@5V

    类型:P沟道

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    输入电容:470pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.1nC@5V

    类型:P沟道

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    输入电容:470pF@15V

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