品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@218µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:329pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":19798}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP299L6327HUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J013NUZTDG
工作温度:150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":942}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP298H6327XUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135IXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:98pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@370µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@25V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@430mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP149H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@400µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:660mA
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@660mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J013NUZTDG
工作温度:150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:108pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@350mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP296NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.8V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152.7pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP321PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:319pF@25V
连续漏极电流:980mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@980mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP317PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@370µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@25V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@430mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":68029}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP129L6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:108pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@350mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP129H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:108pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@350mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:4.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1000,"24+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP321PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:319pF@25V
连续漏极电流:980mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@980mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":18655}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP135H6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:146pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":41068}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP179H6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:N沟道
导通电阻:18Ω@210mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:1.17A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1.17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":169864}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP129L6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:108pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@350mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP171PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@460µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":343141}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP125L6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.3V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:120mA
类型:N沟道
导通电阻:45Ω@120mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7606TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J013NUZTDG
工作温度:150℃
功率:1.8W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
类型:2N沟道(双)共漏
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:1.9A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: