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    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7270pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":55,"06+":1394,"07+":5579,"08+":632817,"11+":2190,"14+":5000,"16+":4400,"17+":900,"MI+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7270pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4430 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4430

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7270pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订962个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订962个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 MRFG35003NT1 起订21个装
    NXP Mosfet场效应管 MRFG35003NT1 起订21个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MRFG35003NT1

    功率:3W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 MRFG35003N6T1 起订29个装
    NXP Mosfet场效应管 MRFG35003N6T1 起订29个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":3984}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MRFG35003N6T1

    功率:3W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17307Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3457CDV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17302Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17302Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:16A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@14A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    BiPOM Mosfet场效应管 NDT3055L 起订347个装
    BiPOM Mosfet场效应管 NDT3055L 起订347个装

    品牌:BiPOM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1142,"22+":1651}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1L151ATTB1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1L151ATTB1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1L151ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@30V

    连续漏极电流:56A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:553pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:840mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.77Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@15V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@37A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E321GNTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E321GNTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E321GNTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:32A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@32A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSB9435T1 起订3562个装
    onsemi 数字晶体管 NSB9435T1 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"05+":3000,"08+":57000,"MI+":1339}

    销售单位:

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):125@800mA,1V

    集电极电流(Ic):3A

    集射极击穿电压(Vceo):30V

    功率:3W

    晶体管类型:1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT439N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT439N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17507Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17507Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@15V

    连续漏极电流:13A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订1365个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订1365个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4312,"22+":21701}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17551Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17551Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1272pF@15V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E321GNTB1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E321GNTB1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E321GNTB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@15V

    连续漏极电流:32A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@32A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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