采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y38-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y38-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2703pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN025-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2703pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2703pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2703pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN025-80YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2703pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y38-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2703pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2703pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y38-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y15-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2603pF@25V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y15-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2603pF@25V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y15-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2603pF@25V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y38-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
