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    ECCN: EAR99
    功率: 95W
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    当前匹配商品:70+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y38-100EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y38-100EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3682 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3682 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2582 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2582 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2582

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@25V

    连续漏极电流:3.7A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y38-100EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y38-100EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-80E,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-80E,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2703pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@10A,5V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN025-80YLX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN025-80YLX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN025-80YLX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2703pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-80E,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-80E,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2703pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@10A,5V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-80E,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-80E,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2703pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@10A,5V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN025-80YLX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN025-80YLX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN025-80YLX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2703pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y38-100EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y38-100EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3682 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3682 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-80E,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-80E,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2703pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@10A,5V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-80E,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y25-80E,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2703pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@10A,5V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3682 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP3682 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y38-100EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y38-100EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y15-60E,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y15-60E,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y15-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2603pF@25V

    连续漏极电流:53A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y15-60E,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y15-60E,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y15-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2603pF@25V

    连续漏极电流:53A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y15-60E,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y15-60E,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y15-60E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2603pF@25V

    连续漏极电流:53A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2582 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2582 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2582

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@25V

    连续漏极电流:3.7A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2582 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2582 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2582

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@25V

    连续漏极电流:3.7A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y38-100EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y38-100EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD3682 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3682 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:5.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD2582 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2582 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2582

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1295pF@25V

    连续漏极电流:3.7A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3682 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3682

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:6A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@32A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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