品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":37,"22+":5000,"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9858}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0905PNSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:1.9V@105µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ
工作温度:175℃
功率:69W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":760}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R650CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:342pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@1.8A,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT110N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:1.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:54pF@25V
导通电阻:9.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ040N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4685
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2380pF@20V
连续漏极电流:8.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@8.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":37,"22+":5000,"23+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ040N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2587pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@5.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ075N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD4N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:622pF@100V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.27Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ040N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":54700,"23+":4070,"MI+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ096N10LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ070N08LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@40V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4590pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":11071}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ040N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":860,"21+":538}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ040N06LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9858}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0905PNSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:1.9V@105µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: