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    栅极电荷
    漏源电压
    连续漏极电流
    ECCN: EAR99
    功率: 390mW
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    NXP Mosfet场效应管 PMGD175XN,115 起订3562个装
    NXP Mosfet场效应管 PMGD175XN,115 起订3562个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":4995}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD175XN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:225mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3900UFA-7B 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3900UFA-7B 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3900UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42.2pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:N沟道

    导通电阻:760mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3900UFA-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3900UFA-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3900UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42.2pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:N沟道

    导通电阻:760mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3900UFA-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3900UFA-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3900UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42.2pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:N沟道

    导通电阻:760mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3900UFA-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3900UFA-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3900UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42.2pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:N沟道

    导通电阻:760mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3900UFA-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3900UFA-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3900UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42.2pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:N沟道

    导通电阻:760mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    功率:390mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@1mA

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8L-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8L-7

    功率:390mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@1mA

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NXP Mosfet场效应管 PMGD175XN,115 起订3562个装
    NXP Mosfet场效应管 PMGD175XN,115 起订3562个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"14+":4995}

    规格型号(MPN):PMGD175XN,115

    功率:390mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:225mΩ@1A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    阈值电压:1.5V@250µA

    连续漏极电流:900mA

    ECCN:EAR99

    输入电容:75pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    功率:390mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@1mA

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装清单:商品主体 * 1

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