采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
输入电容：817pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：37W
栅极电荷：14.3nC@10V
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
连续漏极电流：52A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD15N06-42L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：180，"23+"：49500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y59-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y29-40E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：664pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y59-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@25V
连续漏极电流：16.7A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y59-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@25V
连续漏极电流：16.7A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y153-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
