采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4720，"23+"：42500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1077，"9999"：232}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-30LL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：526pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@500V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@1.7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2685}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4720，"23+"：42500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4720，"23+"：42500，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085N03PQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：817pF@15V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：4720，"23+"：42500，"MI+"：2500}
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：37W
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
阈值电压：3.5V@130µA
漏源电压：600V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
