品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6645pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6645pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6775pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-30YLE,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5217pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6775pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19350,"MI+":1350}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6645pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-40YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0040120J1-TR
工作温度:-40℃~150℃
功率:272W
阈值电压:3.6V@9.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@1000V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:53.5mΩ@33.3A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-30YLE,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5217pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7107-55AIE,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R8-40YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-30YLE,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5217pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-30YLE,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5217pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R0-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6645pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-30YLE,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5217pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6775pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1715,"22+":4167,"23+":1168,"MI+":3437}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT090N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:272W
阈值电压:5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:36A
类型:MOSFET
导通电阻:90mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB095N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:272W
阈值电压:5V@860µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2930pF@400V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7107-55AIE,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0040120J1-TR
工作温度:-40℃~150℃
功率:272W
阈值电压:3.6V@9.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@1000V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:53.5mΩ@33.3A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0040120J1
工作温度:-40℃~150℃
功率:272W
阈值电压:3.6V@9.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@1000V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:53.5mΩ@33.3A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0040120J1-TR
工作温度:-40℃~150℃
功率:272W
阈值电压:3.6V@9.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@1000V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:53.5mΩ@33.3A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":783,"16+":286,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7C10-75AITE,118
工作温度:-55℃~+175℃
功率:272W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
输入电容:4.7nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: