品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOCA24106E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.6mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3021LK4-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:751pF@10V
连续漏极电流:9.4A€6.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17304Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:955pF@15V
连续漏极电流:15A€56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16411Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@12.5V
连续漏极电流:14A€56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16411Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@12.5V
连续漏极电流:14A€56A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17304Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:955pF@15V
连续漏极电流:15A€56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@17A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOCA24106E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5.6mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13202Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@6V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16406Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@12.5V
连续漏极电流:19A€60A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ600UNELYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.3pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16406Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@12.5V
连续漏极电流:19A€60A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: