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    ECCN: EAR99
    功率: 420mW
    当前匹配商品:200+
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    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31F 起订5个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31F 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 2.5mA,50mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:420mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KDW-TP 起订8个装
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KDW-TP 起订8个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84KDW-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31,115 起订3000个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    最小输入电压(VI(on)):800mV@20mA,0.3V

    最大输入电压(VI(off)):600mV@100μA,5V

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:420mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31,115 起订1000个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    最小输入电压(VI(on)):800mV@20mA,0.3V

    最大输入电压(VI(off)):600mV@100μA,5V

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:420mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115 起订14个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115 起订14个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31F 起订10个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31F 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 2.5mA,50mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70 @ 50mA,5V

    集电极电流(Ic):500mA

    输入电阻:1千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:420mW

    晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,115 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订30000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订30000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31,115 起订500个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PIMC31,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    最小输入电压(VI(on)):800mV@20mA,0.3V

    最大输入电压(VI(off)):600mV@100μA,5V

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70@50mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:1kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:420mW

    晶体管类型:1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,125 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,125 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,125

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR4503NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR4503NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,125 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002PS,125 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002PS,125

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PS,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PS,115

    工作温度:150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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