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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
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规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
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规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
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功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
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输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
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输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
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包装规格(MPQ)：5000psc
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规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
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功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
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输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
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连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
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功率：132W
阈值电压：3V
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栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
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功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
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栅极电荷：60nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
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规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
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输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
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类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
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栅极电荷：60nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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