品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V@140μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.47nF@40V
连续漏极电流:103A
类型:1个N沟道
反向传输电容:11pF@40V
导通电阻:3.7mΩ@10V,20A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UF3C065080B3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:115W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):UF3C065080B3
导通电阻:100mΩ
阈值电压:4V
包装方式:Reel
功率:115W
漏源电压:650V
连续漏极电流:25A
栅极电荷:51nC
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存: