品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":2856,"13+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP203-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@38A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
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功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):ATP203-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@38A,10V
漏源电压:30V
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规格型号(MPN):ATP203-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@38A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
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输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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生产批次:{"01+":2856,"13+":6000}
规格型号(MPN):ATP203-TL-H
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:8.2mΩ@38A,10V
输入电容:2750pF@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
功率:50W
ECCN:EAR99
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