品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21900pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21900pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB011N04LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:346nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:29000pF@20V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP25N50E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB060N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.6V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@75V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@68A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3,"22+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S207ATMA4
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@68A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB016N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@196µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:166nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28000pF@30V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4680,"24+":183}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT054N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.6V@181µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@75V
连续漏极电流:143A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB015N04LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:346nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB011N04LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:346nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:29000pF@20V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":7268,"20+":13700,"23+":8000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N10S403AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10120pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB016N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@196µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:166nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28000pF@30V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":12000,"18+":25980,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N06S4H1AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:21900pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB060N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.6V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@75V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@68A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB019N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@194µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:186nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8700pF@40V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:1.95mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":34667}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF6218STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":400,"23+":1750,"mi+":1000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP024N06N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@196µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:275nC@10V
包装方式:管件
输入电容:23000pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB016N06L3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@196µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:166nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28000pF@30V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@100V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):28psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXH010P120MNF1PNG
工作温度:-40℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.3V@40mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:4707pF@800V
连续漏极电流:114A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@100A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":28}
包装规格(MPQ):28psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NXH010P120MNF1PNG
工作温度:-40℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4.3V@40mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:4707pF@800V
连续漏极电流:114A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@100A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2568pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:97mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA250N04S6N007EAUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9898pF@25V
连续漏极电流:435A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3664}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB017N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@196µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:275nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23000pF@30V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB1D7N10CL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11600pF@50V
连续漏极电流:268A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@100A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":18500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S2L06AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@69A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB20N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3390pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:260mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":18500,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S2L06AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@69A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: