采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：23400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ05P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1051pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ12N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：23400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66920
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66920
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ05P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1051pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4486
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@50V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4294
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2420pF@50V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66920
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP66923
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@50V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ05P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1051pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW3P10A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.419nF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：210mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
