品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS41N15DPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:5.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2520pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
输入电容:1949pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:17mΩ@12A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:53.7A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:11.2nC@10V
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
输入电容:1949pF@40V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:17mΩ@12A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:53.7A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
栅极电荷:38.1nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8mΩ@20A,10V
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: