品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:17.5A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:17.5A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:17.5A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3L+":25000}
包装规格(MPQ):601psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03M6DNS-00#J5
功率:12.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:1.19nF@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:17.5A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:17.5A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3L+":25000}
包装规格(MPQ):601psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03M6DNS-00#J5
功率:12.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:1.19nF@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:17.5A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:17.5A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"3L+":25000}
包装规格(MPQ):601psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK03M6DNS-00#J5
功率:12.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:1.19nF@10V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.2mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:17.5A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4464}
包装规格(MPQ):4500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:400mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:8.7A
类型:MOSFET
导通电阻:17mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:17.5A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB07R3VPX
工作温度:-55℃~+150℃
功率:12.5W
阈值电压:900mV
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:17.5A
类型:MOSFET
导通电阻:19mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: