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    ECCN: EAR99
    功率: 12.5W
    当前匹配商品:20+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M6DNS-00#J5 起订724个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M6DNS-00#J5 起订724个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"3L+":25000}

    包装规格(MPQ):601psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03M6DNS-00#J5

    功率:12.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:1.19nF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

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    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC

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    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M6DNS-00#J5 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M6DNS-00#J5 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"3L+":25000}

    包装规格(MPQ):601psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03M6DNS-00#J5

    功率:12.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:1.19nF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M6DNS-00#J5 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK03M6DNS-00#J5 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"3L+":25000}

    包装规格(MPQ):601psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK03M6DNS-00#J5

    功率:12.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:散装

    输入电容:1.19nF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PMCM6501UNEZ 起订1840个装
    NXP Mosfet场效应管 PMCM6501UNEZ 起订1840个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4464}

    包装规格(MPQ):4500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM6501UNEZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:400mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:8.7A

    类型:MOSFET

    导通电阻:17mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB07R3VPX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB07R3VPX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:900mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:17.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19mΩ

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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