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    ECCN: EAR99
    功率: 165W
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
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    价格
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    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KRC14 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KRC14 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT3080KRC14

    工作温度:175℃

    功率:165W

    阈值电压:5.6V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@10A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLHRC11 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLHRC11 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT3080KLHRC11

    工作温度:175℃

    功率:165W

    阈值电压:5.6V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@10A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:165W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2846pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLGC11 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLGC11 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT3080KLGC11

    工作温度:175℃

    功率:165W

    阈值电压:5.6V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@10A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLGC11 起订120个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLGC11 起订120个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT3080KLGC11

    工作温度:175℃

    功率:165W

    阈值电压:5.6V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@10A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLHRC11 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLHRC11 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT3080KLHRC11

    工作温度:175℃

    功率:165W

    阈值电压:5.6V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@10A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20N60W,S1VF 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20N60W,S1VF 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20N60W,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:165W

    阈值电压:3.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1680pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLGC11 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLGC11 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT3080KLGC11

    工作温度:175℃

    功率:165W

    阈值电压:5.6V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@800V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@10A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20E60W5,S1VX 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20E60W5,S1VX 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20E60W5,S1VX

    工作温度:150℃

    功率:165W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2160KEGC11 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT2160KEGC11 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT2160KEGC11

    工作温度:175℃

    功率:165W

    阈值电压:4V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@7A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLGC11 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3080KLGC11 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT3080KLGC11

    栅极电荷:60nC@18V

    导通电阻:104mΩ@10A,18V

    连续漏极电流:31A

    输入电容:785pF@800V

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    工作温度:175℃

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    功率:165W

    阈值电压:5.6V@5mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20G60W,RVQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20G60W,RVQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:165W

    阈值电压:3.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20N60W,S1VF 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20N60W,S1VF 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20N60W,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:165W

    阈值电压:3.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1680pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20N60W5,S1VF 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20N60W5,S1VF 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20N60W5,S1VF

    功率:165W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB12N50TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:165W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1315pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB12N50TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:165W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1315pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB12N50TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:165W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1315pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:165W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2846pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:165W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2846pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20G60W,RVQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20G60W,RVQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:165W

    阈值电压:3.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3060ALGC11 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT3060ALGC11 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT3060ALGC11

    工作温度:175℃

    功率:165W

    阈值电压:5.6V@6.67mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:852pF@500V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:78mΩ@13A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB12N50TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:165W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1315pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB12N50TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:165W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1315pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB12N50TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB12N50TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:165W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1315pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20G60W,RVQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20G60W,RVQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:165W

    阈值电压:3.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:165W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2846pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20G60W,RVQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20G60W,RVQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:165W

    阈值电压:3.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20G60W,RVQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20G60W,RVQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:165W

    阈值电压:3.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4005SCT 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:165W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2846pF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20N60W,S1VF 起订120个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20N60W,S1VF 起订120个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20N60W,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:165W

    阈值电压:3.7V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1680pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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