品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080KRC14
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@18V
包装方式:管件
输入电容:785pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080KLHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@18V
包装方式:管件
输入电容:785pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:165W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2846pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080KLGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@18V
包装方式:管件
输入电容:785pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080KLGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@18V
包装方式:管件
输入电容:785pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080KLHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@18V
包装方式:管件
输入电容:785pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20N60W,S1VF
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080KLGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@18V
包装方式:管件
输入电容:785pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20E60W5,S1VX
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080KLGC11
栅极电荷:60nC@18V
导通电阻:104mΩ@10A,18V
连续漏极电流:31A
输入电容:785pF@800V
类型:N沟道
漏源电压:1200V
工作温度:175℃
包装方式:管件
ECCN:EAR99
功率:165W
阈值电压:5.6V@5mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20N60W,S1VF
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20N60W5,S1VF
功率:165W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@300V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB12N50TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:165W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1315pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB12N50TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:165W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1315pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB12N50TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:165W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1315pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:165W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2846pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:165W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2846pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060ALGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@6.67mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:管件
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB12N50TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:165W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1315pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB12N50TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:165W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1315pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB12N50TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:165W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1315pF@25V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:165W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2846pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20G60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:165W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2846pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20N60W,S1VF
工作温度:150℃
功率:165W
阈值电压:3.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: