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    ECCN: EAR99
    功率: 125W
    漏源电压: 600V
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:80+
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    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IGOT60R070D1AUMA3
    INFINEON Mosfet场效应管 IGOT60R070D1AUMA3

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IGOT60R070D1AUMA3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R090CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R090CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R090CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@570µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2103pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IGOT60R070D1AUMA3
    INFINEON Mosfet场效应管 IGOT60R070D1AUMA3

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IGOT60R070D1AUMA3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:353
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IGT60R070D1ATMA4 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IGT60R070D1ATMA4 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IGT60R070D1ATMA4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R090CFD7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R090CFD7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R090CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@570µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2103pF@400V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:163
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IGOT60R070D1AUMA3
    INFINEON Mosfet场效应管 IGOT60R070D1AUMA3

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IGOT60R070D1AUMA3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IGO60R070D1AUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IGO60R070D1AUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1353}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IGO60R070D1AUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:204
    INFINEON Mosfet场效应管 IGOT60R070D1AUMA3
    INFINEON Mosfet场效应管 IGOT60R070D1AUMA3

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IGOT60R070D1AUMA3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":321,"09+":35,"12+":20000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP6N60C

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":321,"09+":35,"12+":20000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP6N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:810pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:425
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    导通电阻:1.2Ω

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5810,"21+":2925,"22+":6112,"24+":3000,"MI+":8521}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40APBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40APBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1036pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IGO60R070D1AUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IGO60R070D1AUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1353}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IGO60R070D1AUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IGT60R070D1ATMA4 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IGT60R070D1ATMA4 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2000,"23+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IGT60R070D1ATMA4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IGT60R070D1ATMA4
    INFINEON Mosfet场效应管 IGT60R070D1ATMA4

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IGT60R070D1ATMA4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FCP11N60F
    onsemi Mosfet场效应管 FCP11N60F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP11N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IGT60R070D1ATMA4
    INFINEON Mosfet场效应管 IGT60R070D1ATMA4

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IGT60R070D1ATMA4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@400V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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