品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BLP15H9S100Z
功率:100W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BLP15H9S100GZ
功率:100W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S223ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@21A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":107}
销售单位:个
规格型号(MPN):MRF5S9101MBR1
功率:100W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6,"22+":2004}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L23ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1091pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@22A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3935pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3935pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2120,"23+":4592,"MI+":5875}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S223ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@21A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19566,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB50N12S3L15ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1459,"22+":13901,"23+":188484,"MI+":36009}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L23ATMA3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1091pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@22A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PHP23NQ11T,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:830pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@13A,10V
漏源电压:110V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3935pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":20750,"23+":56895,"24+":69757}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S51R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:3.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD01P
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@6mA,6A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":15500,"19+":12484}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI50N12S3L15AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJB5742T4G
集射极击穿电压(Vceo):400V
集电极电流(Ic):8A
功率:100W
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@400mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@4A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BLP15H9S100Z
功率:100W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AMPLEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BLP15H9S100Z
功率:100W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJB5742T4G
集射极击穿电压(Vceo):400V
集电极电流(Ic):8A
功率:100W
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@400mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@4A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1459,"22+":13901,"23+":188484,"MI+":36009}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S2L23ATMA3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1091pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@22A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: