采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2626，"17+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.4V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：10.6A€71A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.4V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：10.6A€71A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.4V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：10.6A€71A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC118N10NSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@50V
连续漏极电流：11A€71A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：33732，"MI+"：4257}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：28853}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4N60NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC070N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：3.5V@75µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2626，"17+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD60N360U1T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@50V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC123N10LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：2.4V@72µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@50V
连续漏极电流：10.6A€71A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
