采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
类型：1个N沟道
连续漏极电流：12A
包装方式：管件
导通电阻：440mΩ@6A，10V
功率：27.7W
漏源电压：600V
输入电容：720pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
类型：1个N沟道
连续漏极电流：12A
包装方式：管件
导通电阻：440mΩ@6A，10V
功率：27.7W
漏源电压：600V
输入电容：720pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
输入电容：3750pF@20V
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
连续漏极电流：60A
功率：27.7W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
输入电容：3750pF@20V
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
连续漏极电流：60A
功率：27.7W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
