采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN019N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@14.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：282nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15993pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19.3mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT42F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6810pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@21A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：137nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6630pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@14.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：282nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15993pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19.3mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN019N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@14.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：282nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15993pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19.3mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：4V@14.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：282nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15993pF@400V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：19.3mΩ@37.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：4765pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN019N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
漏源电压：650V
导通电阻：19.3mΩ@37.5A，10V
包装方式：管件
输入电容：15993pF@400V
栅极电荷：282nC@10V
阈值电压：4V@14.3mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL019N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
漏源电压：650V
导通电阻：19.3mΩ@37.5A，10V
包装方式：管件
输入电容：15993pF@400V
栅极电荷：282nC@10V
阈值电压：4V@14.3mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH45N50F-F133
漏源电压：500V
栅极电荷：137nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
输入电容：6630pF@25V
阈值电压：5V@250µA
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@22.5A，10V
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：4765pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFL100N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：管件
输入电容：20000pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@50A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT42F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6810pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@21A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
