销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":556}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":10350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA5065ADF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:62.4ns
反向恢复时间:31.8ns
关断损耗:309µJ
开启延迟时间:20.8ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:72.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:1.35mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":10350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA5065ADF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:62.4ns
反向恢复时间:31.8ns
关断损耗:309µJ
开启延迟时间:20.8ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:72.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:1.35mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT50GN60BDQ2G
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:230ns
关断损耗:1565µJ
开启延迟时间:20ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:325nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.85V@15V,50A
导通损耗:1185µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":556}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA50T65SHD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:73.6ns
反向恢复时间:34.6ns
关断损耗:384µJ
开启延迟时间:22.4ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:87nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:1.28mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":10350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA5065ADF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:62.4ns
反向恢复时间:31.8ns
关断损耗:309µJ
开启延迟时间:20.8ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:72.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:1.35mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOK50B65M2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:182ns
反向恢复时间:327ns
关断损耗:1.03mJ
开启延迟时间:46ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:102nC
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:2.09mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA50T65SHD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:73.6ns
反向恢复时间:34.6ns
关断损耗:384µJ
开启延迟时间:22.4ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:87nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:1.28mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":10350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA5065ADF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:62.4ns
反向恢复时间:31.8ns
关断损耗:309µJ
开启延迟时间:20.8ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:72.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:1.35mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA50T65SHD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:73.6ns
反向恢复时间:34.6ns
关断损耗:384µJ
开启延迟时间:22.4ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:87nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:1.28mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA50T65SHD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:73.6ns
反向恢复时间:34.6ns
关断损耗:384µJ
开启延迟时间:22.4ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:87nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:1.28mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXXH150N60C3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:120ns
关断损耗:1.8mJ
开启延迟时间:34ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:200nC
类型:PT
集电极电流(Ic):2.5V@15V,150A
导通损耗:3.4mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOK50B65M2
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:182ns
反向恢复时间:327ns
关断损耗:1.03mJ
开启延迟时间:46ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:102nC
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:2.09mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"21+":10350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGA5065ADF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:62.4ns
反向恢复时间:31.8ns
关断损耗:309µJ
开启延迟时间:20.8ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:72.2nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.2V@15V,50A
导通损耗:1.35mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT50GN60BDQ2G
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:230ns
关断损耗:1565µJ
开启延迟时间:20ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:325nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.85V@15V,50A
导通损耗:1185µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":556}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":556}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH50T65UPD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):150A
关断延迟时间:160ns
反向恢复时间:53ns
关断损耗:740µJ
开启延迟时间:32ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:230nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,50A
导通损耗:2.7mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: