品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":694}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFP9530
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:66W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1035 pF @ 25 V
连续漏极电流:10.5A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:300 毫欧 @ 5.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":694}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFP9530
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:66W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1035 pF @ 25 V
连续漏极电流:10.5A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:300 毫欧 @ 5.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
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ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
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输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
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ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
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类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB047N10
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15265 pF @ 25 V
连续漏极电流:120A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB55N10TM
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2730 pF @ 25 V
连续漏极电流:55A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:41W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:640 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:41W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:640 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB047N10
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.7 毫欧 @ 75A,10V
栅极电荷:210 nC @ 10 V
类型:N 通道
连续漏极电流:120A(Tc)
功率:375W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
输入电容:15265 pF @ 25 V
漏源电压:100V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:41W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:640 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFI530NPBF
功率:41W(Tc)
连续漏极电流:12A(Tc)
导通电阻:110 毫欧 @ 6.6A,10V
栅极电荷:44 nC @ 10 V
类型:N 通道
包装方式:管件
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
输入电容:640 pF @ 25 V
漏源电压:100V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR120NTRL
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2V @ 250µA
连续漏极电流:10A(Tc)
导通电阻:185 毫欧 @ 6A,10V
类型:N 通道
输入电容:440 pF @ 25 V
功率:48W(Tc)
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
栅极电荷:20 nC @ 5 V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRLR120NTRL
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2V @ 250µA
连续漏极电流:10A(Tc)
导通电阻:185 毫欧 @ 6A,10V
类型:N 通道
输入电容:440 pF @ 25 V
功率:48W(Tc)
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
栅极电荷:20 nC @ 5 V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB55N10TM
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:26 毫欧 @ 27.5A,10V
类型:N 通道
功率:3.75W(Ta),155W(Tc)
栅极电荷:98 nC @ 10 V
输入电容:2730 pF @ 25 V
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:55A(Tc)
漏源电压:100V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存: